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记忆效应:是迷思还是现实?镍镉电池的过去与现在

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镍镉(Ni-Cd)电池曾经主导可充电电池市场。从20世纪60年代到90年代,它是电动工具、军用设备、应急电源和医疗设备中不可或缺的能源。然而,随着锂离子等高效电池的出现,它们逐渐从消费电子产品中淡出。但在某些特定应用中,镍镉电池凭借独特优势依然不可替代。本文将深入探讨记忆效应的真相、镍镉电池的优缺点及其至今的应用领域。     什么是镍镉电池? 镍镉电池以氧化镍作为正极,镉作为负极,采用碱性电解液(氢氧化钾)。虽然其单体电压只有1.2V,但其坚固的结构、优异的低温性能和高充放电耐久性使其几十年来成为各种设备的标准电源。 记忆效应的真相 记忆效应是指电池在未充分放电就充电的重复循环中,似乎“记住”了较低容量的现象。这是由于部分充放电过程中电极表面形成结晶结构,减少了活性面积,从而导致有效容量下降。但研究表明,记忆效应仅在特定条件下(特别是高电流放电时)才显著,在一般消费电子产品中其影响并不如想象中大。     防止记忆效应的方法 完全放电后再充电 :定期进行深度放电循环(例如使用10次后)。 使用刷新循环 :部分充电器提供自动完全放电-充电循环。 避免频繁部分充电 :尽量在电池使用较多后再充电。 采用标准充电 :低电流的标准充电能减轻电极压力,延长电池寿命。 镍镉电池的应用领域 虽然锂离子电池在现代电子产品中占主导地位,但镍镉电池在以下领域仍有重要作用: 军用、航空应急电源 :极端环境下也能稳定工作 低温设备 :在零下20°C以下仍可正常充放电 工业电动工具 :耐冲击、耐震动 太阳能/风能应急储能 :寿命长,充放电速度快     镍镉电池与锂离子电池的组合是否可行? 在某些应用中,设计师会结合两者的优点。例如用锂离子电池作为主电源,镍镉电池在需要高功率突发时作为备份。这种设计需要仔细考虑电压、放电曲线和保护电路,以确保兼容和安全。 结论:镍镉电池仍有用武之地吗? 镍镉电池或许被认为是过时的技术,但在某些环境下,它们的性能仍优于锂离子电池。只要正确理解并管理记忆效应,镍镉电池依然是恶劣环境中值得信赖的电源方案。    

澄清MOSFET在电池管理系统(BMS)中的真实作用

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很多人对MOSFET在BMS电路中的工作原理存在误解。一个常见的错误认识是:充电用的FET控制充电器的地线,放电用的FET控制负载的地线。但实际上,它们的行为方式比这更精准、也更复杂。     1. 使用N沟MOSFET的基本结构 大多数锂电BMS板使用两个N沟MOSFET来控制充电和放电。这些MOSFET的连接方式如下: 源极 (Source): 连接至B−(电池负极) 漏极 (Drain): 连接至P−(输入/输出公共负端) 栅极 (Gate): 由保护IC控制 当栅极电压(Vgs)超过阈值时,MOSFET导通,允许电流从漏极流向源极。     2. 充电与放电MOSFET的区别 放电MOSFET负责在允许放电时将P−连接至B−。充电MOSFET则控制电流从P+端进入电池。当两者都为N沟MOSFET时,它们的方向和连接方式会有所不同。 3. 实际的开关控制逻辑 - 放电:当允许放电时,负载端(P−)通过放电FET与电池负极(B−)连接。 - 充电:只有当充电FET导通时,充电器的P+端才会与电池正极连接。     4. 当FET未导通时会发生什么? 如果栅极电压未正确施加,FET会保持关闭,电路无法导通。 即使电池充满电,P+与P−之间也可能显示为0V。 5. 诊断的关键方法 测量栅极与源极之间的电压(Vgs)。 若Vgs过低,MOSFET不会导通。 原因可能是保护IC因欠压、过流等状态禁止导通。     结论 正确理解MOSFET在BMS电路中的真实作用,可以帮助你更好地进行电池包的修复、诊断与改装。意识到它们实际上是在控制地线而非简单地导通线路,将改变你对整个电池管理系统的分析思路。